Pat
J-GLOBAL ID：200903096871304834

パターン検査装置および方法

Inventor：
北村 正

About 北村 正

, 
久保田 和文

About 久保田 和文

, 
中澤 伸一

About 中澤 伸一

, 
ニーティー ヴォーラ

About ニーティー ヴォーラ

, 
山本 昌宏

About 山本 昌宏


Applicant, Patent owner：
株式会社ナノジオメトリ研究所

About 株式会社ナノジオメトリ研究所


Agent (5)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005039871
Publication number (International publication number)：2005277395
Application date： Feb. 16, 2005
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：
【課題】 設計データの情報を使ったパターン検査装置および方法を提供する。【解決手段】 検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用する設計データを用いて検査するパターン検査装置であって、前記設計データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段11と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段7と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段12と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段12とを備え、同一の設計データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して同じ検査領域から得られた欠陥情報を得て、前記得られた欠陥情報から繰り返し発生する欠陥を認識する。【選択図】 図17
Claim (excerpt)：
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用する設計データを用いて検査するパターン検査装置であって、 前記設計データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、 同一の前記設計データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して同じ検査領域から得られた欠陥情報を得て、前記得られた欠陥情報から繰り返し発生する欠陥を認識することを特徴とするパターン検査装置。
IPC (4)：
H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  G06T1/00 ,  G06T3/00
FI (4)：
H01L21/66 J ,  G01N21/956 A ,  G06T1/00 305B ,  G06T3/00 500A
F-Term (35)：
2G051AA51 ,  2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051AC21 ,  2G051CA04 ,  2G051EC06 ,  2G051ED22 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5B057AA03 ,  5B057BA01 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB17 ,  5B057CC02 ,  5B057CE15 ,  5B057DA03 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC03 ,  5B057DC08 ,  5B057DC17 ,  5B057DC33 ,  5B057DC36
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM