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J-GLOBAL ID：200903096893983336

窒化物半導体素子

Inventor：
福田 芳克

About 福田 芳克

, 
藤岡 陽

About 藤岡 陽


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004006964
Publication number (International publication number)：2004112002
Application date： Jan. 14, 2004
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】 リーク電流が低くかつ静電耐圧の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子において、p側層はオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、そのp型コンタクト層はp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とが交互に積層されてなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子であって、 前記p側層はpオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、該p型コンタクト層はp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とが交互に積層されてなり、 前記p型コンタクト層と上記活性層の間に、p-AlGaNからなる第1層とp-InGaNもしくはp-GaNからなる第2層とを交互に形成してなる超格子p型層をさらに有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (7)：
5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB36
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 化合物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-271605   Applicant：株式会社東芝
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-286728   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-348665   Applicant：日亜化学工業株式会社

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