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J-GLOBAL ID：200903093825403748

化合物半導体素子

Inventor： 笹沼 克信 ,  斎藤 真司 ,  ジョン レニー
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998271605
Publication number (International publication number)：2000101142
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低しきい値、低電圧、高発光効率で動作し、熱抵抗が低く長寿命かつ信頼性の高い発光ダイオードやレーザを開発する。【解決手段】 電流狭窄構造レーザダイオードにおいて、コンタクト層11をAlGaNとGaNの超格子構造を用いることによりコンタクト層11を薄膜化し、低電圧かつ低しきい値で動作する半導体発光素子を実現する。

Claim (excerpt)：

IS(inner stripe)構造またはSBR(selectively buriedridge waveguide)構造等の埋め込み型レーザダイオードにおいて、コンタクト層が超格子構造からなることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

F-Term (21)：

5F041AA08 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA99 ,  5F041CB02 ,  5F041FF16 ,  5F073AA09 ,  5F073AA21 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-114570   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-025003   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-364012   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316601   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239309   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-188523   Applicant：株式会社東芝