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J-GLOBAL ID：200903022963217551

窒化物半導体素子

Inventor： 谷沢 公二 ,  三谷 友次 ,  丸居 宏充
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999348665
Publication number (International publication number)：2000232237
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力のさらなる向上が可能となる窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 活性層7を挟むように、互いに組成の異なるn型多層膜層6[Al<SB>2</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0≦z<1)とIn<SB>p</SB>Ga<SB>1-p</SB>N(0<p<1)とからなる]と、p型多層膜層8[Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)とIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<1)とからなる。]とを形成してなる。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、n型窒化物半導体にn型多層膜層を、p型窒化物半導体にp型多層膜層をそれぞれ有し、前記n型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成と、p型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成とが、異なることを特徴とする窒化物半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• 特開平3-229480
  
• 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-292304   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154708   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-219892   Applicant：ローム株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213280   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-293580   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-286732   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaN系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311441   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-348972   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-023048   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-112909   Applicant：日亜化学工業株式会社