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J-GLOBAL ID:200903096894422680
金属酸化物薄膜の形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
間宮 武雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995345322
Publication number (International publication number):1997157855
Application date: Dec. 06, 1995
Publication date: Jun. 17, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ゾル-ゲル法により金属酸化物薄膜を形成する場合に、金属酸化物を結晶化するのに高温での熱処理を不要とし、耐熱性の低い基板上にも金属酸化物薄膜を形成することを可能にする。【解決手段】 金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、その薄膜に対し波長が360nm以下である紫外光を照射して金属酸化物を結晶化する。
Claim (excerpt):
金属アルコキシド又は金属塩を主原料として得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗布して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、その薄膜に対して波長が360nm以下である紫外光を照射し、薄膜を形成している金属酸化物を結晶化することを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。
IPC (6):
C23C 18/14
, B01J 19/08
, C01G 1/02
, C01G 15/00
, C01G 19/02
, C23C 24/00
FI (6):
C23C 18/14
, B01J 19/08 F
, C01G 1/02
, C01G 15/00 B
, C01G 19/02 C
, C23C 24/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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金属酸化物薄膜のパターン形成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-281627
Applicant:ローム株式会社
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酸化物薄膜の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-320283
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
-
特開平1-111880
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強誘電体薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-023933
Applicant:松下電子工業株式会社
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金属酸化物薄膜パターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-349973
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
特開平4-242226
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