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J-GLOBAL ID：200903096963539854

窒化物半導体の結晶成長方法およびレーザ素子の共振面の形成方法

Inventor： 中村 修二 ,  杉本 康宜
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996083446
Publication number (International publication number)：1997275243
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 後に劈開によりチップを分離しやすくする方法を提供し、特にレーザ素子を作製する際に、活性層の端面に劈開により共振面が形成できる窒化物半導体の結晶成長方法と、レーザ素子の共振面の形成方法とを提供する。【構成】 窒化物半導体のM面の内の少なくとも一つの面が、サファイア基板のC面と平行になるように、窒化物半導体の結晶をサファイア基板のA面上に成長させ、サファイア基板をR面で劈開すると共に、前記窒化物半導体のM面に活性層の共振面を形成する。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体のM面の内の少なくとも一つの面が、サファイア基板のC面と平行になるように、窒化物半導体の結晶をサファイア基板のA面上に成長させることを特徴とする窒化物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 S ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043863   Applicant：京セラ株式会社
• 半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-079217   Applicant：京セラ株式会社