半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000873
Publication number (International publication number)：2002093805
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅配線間に低誘電率を有する多層の絶縁膜からなる層間絶縁膜を形成したときに、層間絶縁膜が低誘電率を維持しつつ、層間絶縁膜を挟む銅配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】表面に銅配線23が露出した基板21上に低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜は多層の絶縁膜24、25、29から構成されてなり、多層の絶縁膜24、25、29のうち銅配線23と接する絶縁膜24を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、窒素(N2)又はアンモニア(NH3)のうち何れか一とからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜する。

Claim (excerpt)：

表面に銅配線が露出した基板上に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、窒素(N2)又はアンモニア(NH3)のうち何れか一とからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , C23C 16/42 , H01L 21/31 C , H01L 21/90 M

F-Term (62)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030FA03 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT01 , 5F033WW00 , 5F033XX28 , 5F045AA08 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AE21 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045EH14 , 5F045EH20 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD10 , 5F058BD13 , 5F058BD16 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BG01 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-109101 Applicant：ソニー株式会社
層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-197596 Applicant：松下電器産業株式会社

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