結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法およびこの方法で製造されたシリコン単結晶

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996026021
Publication number (International publication number)：1997202684
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】酸化膜耐圧を改善したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を、高生産性で製造する。【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、1250°Cから1200°Cまでの温度域を通過する時間が10分以上20分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。およびこの方法によって製造されたシリコン単結晶。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、1250°Cから1200°Cまでの温度域を通過する時間が20分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B 15/00 P , C30B 29/06 502 E , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-017674 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
半導体の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-188537 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
単結晶の引き上げ方法及び該方法に使用する単結晶引き上げ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007686 Applicant：住友シチックス株式会社

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