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J-GLOBAL ID:200903097052765829
結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法およびこの方法で製造されたシリコン単結晶
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
好宮 幹夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996026021
Publication number (International publication number):1997202684
Application date: Jan. 19, 1996
Publication date: Aug. 05, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 酸化膜耐圧を改善したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を、高生産性で製造する。【解決手段】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、1250°Cから1200°Cまでの温度域を通過する時間が10分以上20分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。およびこの方法によって製造されたシリコン単結晶。
Claim (excerpt):
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、1250°Cから1200°Cまでの温度域を通過する時間が20分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。
IPC (3):
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
FI (3):
C30B 15/00 P
, C30B 29/06 502 E
, H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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