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J-GLOBAL ID：200903097067389963

任意の表面特性及び表面形状を有する基体表面へのシリカ薄膜の製造方法及び複合構造体

Inventor：
奥寺 浩樹

About 奥寺 浩樹

, 
野浪 亨

About 野浪 亨


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002076093
Publication number (International publication number)：2003277041
Application date： Mar. 19, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高密度かつ透光性に優れたシリカ薄膜を任意の形状と表面特性を有する基体上に製造する方法、該シリカ薄膜の表面粗さを制御する方法等を提供する。【解決手段】 基体表面に接合したシリカ薄膜の製造方法であって、(1)シリコンアルコキシド、アルコール、水及びアルカリからなる溶液に基体を浸漬する、(2)アルコール溶媒中でのシリコンアルコキシドの加水分解により液中に直径1〜30nmの低密度ケイ酸コロイドを生ぜしめる、(3)これらの基体への付着と脱水重縮合により液中で基体上に均一な所定の膜厚のシリカ薄膜を形成する、(4)上記膜形成過程で反応液を動的な状態に保持する、ことを特徴とするシリカ薄膜の製造方法、及び該方法で作製したシリカ薄膜を表層に有する、高透光性複合構造体。
Claim (excerpt)：
基体表面に接合したシリカ薄膜の製造方法であって、(1)シリコンアルコキシド、アルコール、水及びアルカリからなる溶液に基体を浸漬する、(2)アルコール溶媒中でのシリコンアルコキシドの加水分解により液中に直径1〜30nmの低密度ケイ酸コロイドを生ぜしめる、(3)これらの基体への付着と脱水重縮合により液中で基体上に均一な所定の膜厚のシリカ薄膜を形成する、(4)上記膜形成過程で反応液を動的な状態に保持する、ことを特徴とするシリカ薄膜の製造方法。
IPC (4)：
C01B 33/12 ,  H01L 21/316 ,  B29C 41/14 ,  C03C 17/25
FI (4)：
C01B 33/12 C ,  H01L 21/316 G ,  B29C 41/14 ,  C03C 17/25 A
F-Term (33)：
4F205AA33 ,  4F205GA08 ,  4F205GB11 ,  4F205GE24 ,  4F205GF01 ,  4F205GF02 ,  4F205GF05 ,  4G059AA08 ,  4G059AC04 ,  4G059AC16 ,  4G059AC20 ,  4G059AC24 ,  4G059EA05 ,  4G059EB07 ,  4G072AA26 ,  4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072FF07 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ21 ,  4G072JJ38 ,  4G072MM01 ,  4G072MM31 ,  4G072MM35 ,  4G072UU30 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BG10 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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