SiO2を主成分とする酸化物皮膜およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岸本瑛之助 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002219386
Publication number (International publication number)：2003154597
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： May. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】緻密な皮膜と凹凸を有する皮膜との長所を合わせ持った酸化物皮膜を有する基材を提供する。【解決手段】表面に酸化物皮膜を有する金属またはガラス等の材質の基材は、SiO2を主成分とするとともに、ゾル-ゲル法により形成されており、緻密層2上に凹凸層3が一体に形成され、凹凸層3の表面全体に微細な凹凸が形成されて粗面化されていて、凹凸層3の表面粗さが最大高さRmaxで0.03〜3μmであり、凹部から最近接の凹部あるいは凸部から最近接の凸部までの間隔が0.03〜10μmとなされている酸化物皮膜を有している。

Claim (excerpt)：

SiO2を主成分とするとともに、ゾル-ゲル法により形成されており、緻密層上に凹凸層が一体に形成され、凹凸層の表面全体に微細な凹凸が形成されて粗面化されていて、凹凸層の表面粗さが最大高さRmaxで0.03〜3μmであり、凹部から最近接の凹部あるいは凸部から最近接の凸部までの間隔が0.03〜10μmとなされている酸化物皮膜を有する基材。

IPC (4)：

B32B 9/00 , C01B 33/12 , C03C 17/25 , C23C 20/08

FI (4)：

B32B 9/00 A , C01B 33/12 C , C03C 17/25 A , C23C 20/08

F-Term (55)：

4F100AA17B , 4F100AA20A , 4F100AA20B , 4F100AB01C , 4F100AB10 , 4F100AG00C , 4F100AH06 , 4F100AT00C , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100DC11B , 4F100DD01A , 4F100DD07B , 4F100EJ34 , 4F100EJ341 , 4F100EJ82 , 4F100EJ822 , 4F100EJ86 , 4F100EJ862 , 4F100JA14A , 4F100JB02 , 4F100JD05 , 4F100JK14B , 4F100JM02B , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4G059AA08 , 4G059AB19 , 4G059AC01 , 4G059AC22 , 4G059EA05 , 4G059EB07 , 4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072FF04 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072JJ11 , 4G072JJ14 , 4G072LL11 , 4G072PP17 , 4G072QQ09 , 4G072RR05 , 4G072TT30 , 4K022AA02 , 4K022AA03 , 4K022BA15 , 4K022BA20 , 4K022DA06 , 4K022DB01 , 4K022EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

低屈折率反射防止膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-255007 Applicant：日産化学工業株式会社
特開昭63-193101
特開昭64-044742

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