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J-GLOBAL ID：200903097157268782
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
Inventor：
,
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003431571
Publication number (International publication number)：2005191312
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】結晶配向性や結晶粒径を制御し、高い磁気抵抗変化量を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、非磁性金属中間層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層とを有し、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の少なくともいずれか1層が抵抗を調節する絶縁部を含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁化自由層は結晶構造が体心立方晶である体心立方晶層を含み、前記体心立方晶層の厚さが2nm以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成された非磁性金属中間層と、前記非磁性金属中間層上に形成され磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層とを有し、前記磁化固着層または非磁性中間層が抵抗を調節する絶縁部を含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記磁化自由層は結晶構造が体心立方晶である体心立方晶層を含み、前記体心立方晶層の厚さが2nm以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5F083FZ10
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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