ゾル-ゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007079216
Publication number (International publication number)：2007277082
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】ゾルーゲル法において、強誘電体膜の結晶配向性を制御し、優れた電気的特性を示し、クラックがなく、厚膜化が容易な強誘電体膜を提供する。【解決手段】強誘電体膜の構成金属元素の有機金属化合物とアルカノールアミン及びβ-ジケトンの一方又は双方を含有する安定剤と溶剤とを含む原料溶液をシリコン基板上に塗布し、上記塗布された原料溶液を上記溶剤の沸点よりも高く上記安定剤の沸点よりも低い温度で乾燥させて乾燥ゲル膜を形成し、上記乾燥ゲル膜を焼結してペロブスカイト結晶を含む1000Å以下の膜厚の強誘電体膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

強誘電体膜の構成金属元素の有機金属化合物とアルカノールアミン及びβ-ジケトンの一方又は双方を含有する安定剤と溶剤とを含む原料溶液をシリコン基板上に塗布する工程と、上記塗布された原料溶液を上記溶剤の沸点よりも高く上記安定剤の沸点よりも低い温度で乾燥させて乾燥ゲル膜を形成する工程と、上記乾燥ゲル膜を焼結してペロブスカイト結晶を含む1000Å以下の膜厚の強誘電体膜を形成する工程とを有するゾル-ゲル法による強誘電体膜の形成方法。

IPC (7)：

C04B 35/49 , C01G 25/00 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01G 4/12 , H01G 4/33

FI (6)：

C04B35/49 A , C01G25/00 , H01L27/10 444C , H01L27/10 651 , H01G4/12 400 , H01G4/06 102

F-Term (42)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA10 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE08 , 5E001AB06 , 5E001AE03 , 5E001AH01 , 5E001AH05 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ02 , 5E082AB01 , 5E082BB10 , 5E082BC39 , 5E082EE05 , 5E082EE27 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5E082PP06 , 5E082PP09 , 5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ペロブスカイト型酸化物薄膜及びペロブスカイト類似型酸化物薄膜並びにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-020775 Applicant：出光興産株式会社
特開平1-286922
特開平4-214071

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