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J-GLOBAL ID：200903097290435756

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
島田 浩行

About 島田 浩行


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005308285
Publication number (International publication number)：2006310741
Application date： Oct. 24, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：
【課題】 良好な電気的特性のトランジスタが得られるようにし、これによって半導体装置の微細化や高密度化を可能にし、さらには3次元に積み重ねることをも可能にした、半導体装置の製造方法とこの製造方法によって得られる半導体装置を提供する。【解決手段】 基体1上に形成された結晶性半導体膜3のうち第1の部分以外の少なくとも第2の部分及び第3の部分に不純物を注入する第1の工程と、第2の部分および第3の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第2の工程とを備える。第2の工程において、少なくとも第2の部分および第3の部分に対して加熱処理を施すことにより、第1の部分の少なくとも一部をシードとする第2の部分及び第3の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基体上に形成された結晶性半導体膜のうち前記基体に接する第1の部分以外の少なくとも第2の部分及び第3の部分に不純物を注入する第1の工程と、 前記第2の部分および前記第3の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第2の工程と、を備え、 前記第1の工程は、前記結晶性半導体膜を構成する材料を前記基体上に堆積する第1の副工程を含み、 前記第2の工程は、少なくとも前記第2の部分および前記第3の部分に対して加熱する第2の副工程を含むこと、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (15)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/00 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (14)：
H01L29/78 616L ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/00 301A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/20 ,  H01L25/08 B
F-Term (105)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB13 ,  5F048BC16 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048CB01 ,  5F048CB10 ,  5F048DA23 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK17 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP16 ,  5F110PP27 ,  5F110PP36 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC08 ,  5F152CC20 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152FF03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3528182号公報
Cited by examiner (3)

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