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J-GLOBAL ID：200903097294168680

プラズマエッチング装置用シリコン電極

Inventor： 下司 猛 ,  高谷 勝
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995039701
Publication number (International publication number)：1996236505
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、シリコン電極の寿命を長くし、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去がなされ得るプラズマエッチング装置用シリコン電極を提供すること。【構成】 プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、前記シリコン電極体を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極である。

Claim (excerpt)：

プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、前記シリコン電極体を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093435   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマエッチング用電極板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361434   Applicant：イビデン株式会社
• プラズマエッチング用陽極電極板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-340666   Applicant：三菱マテリアル株式会社