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J-GLOBAL ID：200903097334704962

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
大坪 徹

About 大坪 徹


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000128481
Publication number (International publication number)：2001015495
Application date： Apr. 27, 2000
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】活性種発生制御、均一性制御、半導体素子特性変化防止、プロセス処理条件の適正化が、それぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置を実現する。【解決手段】プラズマ中に放射する電磁波と磁場による電子エネルギ状態制御、及び容量結合放電、誘導結合放電、電子サイクロトロン共鳴放電の各放電状態制御により、電子エネルギ状態を制御し、活性種発生を制御する。放射電磁波電力分布を変位電流制御により制御し、プラズマ分布を制御してプラズマ処理の均一性を制御する。また、処理基板を流れる高周波電流密度分布を制御して半導体素子の特性変化を防止する。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理ガス供給手段、プラズマ処理室内排気手段、プラズマ発生手段を備え、プラズマにより基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生手段が、相互に絶縁され複数の導体からなる容量結合形放電手段、前記導体間に高周波変位電流を流し電磁波を放射する電磁波放射手段、及び磁場形成手段を有し、前記電磁波放射手段は、共振回路を形成した高周波変位電流制御手段により放射電磁波電力を制御する放射電磁波電力制御手段を有するることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 B ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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