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J-GLOBAL ID：200903097356555090
シリコン酸化物ナノ構造体の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002363162
Publication number (International publication number)：2003266400
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光デバイス、光デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、利用可能な細孔を有するシリコン酸化物ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)アルミニウムとシリコンを用意する工程、(b)該アルミニウムとシリコンを非平衡状態で物質を形成する成膜法を用いて、アルミニウムを含む柱状構造体と該柱状構造体を取り囲むシリコン領域とを有し、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを20〜70atomic%の割合で含有するアルミニウムシリコン混合膜を形成する工程及び(c)該アルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化して細孔を形成する工程を有するシリコン酸化物ナノ構造体の製造方法。
Claim (excerpt)：
アルミニウムを含む柱状構造体と該柱状構造体を取り囲むシリコン領域とを有し、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを20〜70atomic%の割合で含有するアルミニウムシリコン混合膜を用意する工程、及び該アルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化する工程を有するシリコン酸化物構造体の製造方法。
IPC (3)：
B82B 3/00 ZNM
, C23C 14/06
, C23C 14/34
B82B 3/00 ZNM
, C23C 14/06 L
, C23C 14/34 N
4K029BA46
, 4K029BA64
, 4K029BB00
, 4K029CA05
Cited by examiner (5)
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多孔質セラミックス膜とその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-336036
Applicant：工業技術院長, ファインセラミックス技術研究組合
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特開平2-139714
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無機化合物薄膜、磁気記録媒体および磁気記録装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-129758
Applicant：日立マクセル株式会社
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Article cited by the Patent：
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