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J-GLOBAL ID：200903097393875614

集束イオンビーム装置

Inventor：
小山 喜弘

About 小山 喜弘


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツルメンツ株式会社

About セイコーインスツルメンツ株式会社


Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133356
Publication number (International publication number)：1999320123
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 荷電ビーム(加工)装置においてガスを使用した際、ガスがレンズなどへの吸着や析出するのを防ぎ、放電などによる装置の劣化および破壊を防く。【解決手段】 イオン源1から発するイオンビーム18を集束するイオン光学系2、7と、前記集束されたイオンビーム18を試料表面14の所定領域にて操作させ照射するための走査電極8と、前記イオンビーム照射により発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器13と、前記二次荷電粒子検出器の信号に基づいて前記試料表面14の画像を表示するためのディスプレイと、前記試料表面14にガスを吹き付けるためのガスガス供給装置1nよりなる荷電ビーム装置においてイオン光学系2、7および高圧コネクター16を加熱可能にしたことを特徴とした荷電ビーム装置。
Claim (excerpt)：
イオン源から発するイオンビームを集束するイオン光学系と、前記集束されたイオンビームを試料表面の所定領域にて走査させ照射するための走査電極と、前記イオンビーム照射により発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、前記二次荷電粒子検出器の信号に基づいて前記試料表面の画像を表示するためのディスプレイと、前記試料表面にガスを吹き付けるためのガス銃よりなる荷電粒子ビーム装置において前記イオン光学系を加熱可能な加熱装置を備えたこと特徴とした集束イオンビーム装置。
IPC (5)：
B23K 15/00 508 ,  B23K 15/08 ,  C23F 4/00 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/317
FI (5)：
B23K 15/00 508 ,  B23K 15/08 ,  C23F 4/00 C ,  G21K 5/04 A ,  H01J 37/317 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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