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J-GLOBAL ID：200903097496481517

発光素子

Inventor： エアチャク、アレクセイ エイ. ,  グラフ、ジョン ダブリュ. ,  ブラウン、マイケル グレゴリー ,  ダンカン、スコット ダブリュ.
Applicant, Patent owner： ルミナス ディバイシズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006509688
Publication number (International publication number)：2006523953
Application date： Apr. 06, 2004
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。

Claim (excerpt)：

発光素子を形成する方法であって、 反射材料層をp型材料層に接着させる工程を備え、 前記発光素子は複数の材料から成り、かつp型材料層、光発生領域、及び第1層を含む多層積層体を備え、 前記第1層はパターンに従って空間的に変化する誘電関数を有する表面を有し、及び 前記反射材料は、前記光発生領域によって生成される光の少なくとも50%の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を備える、方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 51/50

FI (2)：

H01L33/00 A ,  H05B33/14 A

F-Term (27)：

3K107AA01 ,  3K107CC05 ,  3K107DD59 ,  3K107DD61 ,  3K107GG00 ,  3K107GG11 ,  3K107GG21 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041CB21 ,  5F041CB36 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6,420,242号
  
• 米国特許第6,071,795号
  

Cited by examiner (4)

• 特許第6455340号
  
• 発光ダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-203397   Applicant：同和鉱業株式会社
• 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-212134   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ブレイエ・ユニバージテイト・ブリュッセル
• 特開平4-264781
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 200203, V8 N2, P321-332