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J-GLOBAL ID：200903097502165797

圧電デバイスとその製造方法ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器

Inventor：
黒田 勝巳

About 黒田 勝巳


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003204704
Publication number (International publication number)：2005051408
Application date： Jul. 31, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】圧電デバイスの性能を損なうことなく、パッケージの孔封止を行うことができる圧電デバイスとその製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話と電子機器を提供すること。【解決手段】パッケージ37を構成するための絶縁基体55の電極部31に、圧電振動片32を接合する工程と、前記圧電振動片の接合後に前記絶縁基体に蓋体39を固定して封止する工程と、前記蓋体による封止後に、前記絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔45を介して脱ガスするアニール工程とを含んでおり、前記アニール工程に先行して、前記貫通孔にこの貫通孔と一体に形成された通気部46を残してバンプ61aを形成するバンプ形成工程と、前記アニール工程の後で、真空もしくは不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することにより、前記パッケージ37を気密に封止する孔封止工程を有している。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
パッケージを構成するための絶縁基体の電極部に、圧電振動片を接合する工程と、 前記圧電振動片の接合後に前記絶縁基体に蓋体を固定して封止する工程と、 前記蓋体による封止後に、前記絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔を介して脱ガスするアニール工程と を含んでおり、 前記アニール工程に先行して、前記貫通孔にこの貫通孔と一体に形成された通気部を残してバンプを形成するバンプ形成工程と、 前記アニール工程の後で、真空もしくは不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することにより、前記パッケージを気密に封止する孔封止工程を有している ことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。
IPC (4)：
H03H3/02 ,  H01L23/02 ,  H01L41/09 ,  H03H9/02
FI (4)：
H03H3/02 B ,  H01L23/02 G ,  H03H9/02 A ,  H01L41/08 C
F-Term (18)：
5J108BB01 ,  5J108BB02 ,  5J108CC06 ,  5J108CC09 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE18 ,  5J108GG03 ,  5J108GG09 ,  5J108GG11 ,  5J108GG15 ,  5J108GG16 ,  5J108GG17 ,  5J108GG20 ,  5J108GG21 ,  5J108KK04 ,  5J108KK07 ,  5J108MM02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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