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J-GLOBAL ID：200903097511417790

溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備

Inventor：
寺島 由紀夫

About 寺島 由紀夫

, 
坂元 秀光

About 坂元 秀光


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005321260
Publication number (International publication number)：2007126335
Application date： Nov. 04, 2005
Publication date： May. 24, 2007
Summary：
【課題】溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造方法において炭化ケイ素多結晶の生成を抑制する、炭化ケイ素単結晶製造設備を提供する。【解決手段】ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ2、るつぼを加熱する加熱装置3及び種結晶5を保持する種結晶保持部6を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備10であって、るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に溶液の液面と接触する部分2aが、2.0μm以下の面粗度Raを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備10とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ、前記るつぼを加熱する加熱装置及び種結晶を保持する種結晶保持部を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備であって、 前記るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に前記溶液の液面と接触する部分が、2.0μm以下の面粗度Raを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  C30B 9/00 ,  C30B 17/00
FI (3)：
C30B29/36 A ,  C30B9/00 ,  C30B17/00
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC01 ,  4G077CD10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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