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J-GLOBAL ID:200903097512901629

高圧水素製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 佐藤 辰彦 ,  千葉 剛宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004304497
Publication number (International publication number):2006137961
Application date: Oct. 19, 2004
Publication date: Jun. 01, 2006
Summary:
【課題】水素ガスがアノード側に透過しない高圧水素製造装置を提供する。【解決手段】固体高分子電解質膜2両側に相対向して設けられたカソード給電体3と、アノード給電体4と、カソード室5と、アノード室6とを備え、各給電体3,4に通電することによりアノード室6の水を電気分解して、カソード室5に高圧の水素ガス、アノード室6に酸素を生成させる。水平に配置された固体高分子電解質膜2の上側にカソード給電体3を備え、カソード室5は常に固体高分子電解質膜2を被覆する水層10を備える。水循環手段16により循環される水から酸素を除去する酸素除去手段18を備える。接続導管12を介してカソード室5と接続された高圧水素タンク13を備える。接続導管12は、カソード室5の水素ガス圧が高圧水素タンク13の水素ガス圧以上のとき開弁し、カソード室5の水素ガス圧が高圧水素タンク13の水素ガス圧より低いとき閉弁する開閉弁11を備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜の両側に相対向して設けられたカソード給電体と、アノード給電体と、内部に該カソード給電体が露出するカソード室と、内部に該アノード給電体が露出するアノード室とを備え、各給電体に通電することにより該アノード室に供給される水を電気分解して、該カソード室に高圧の水素ガス、該アノード室に酸素を生成させる高圧水素製造装置において、 水平に配置された固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜の上側に設けられたカソード給電体とを備え、該カソード室は常に該固体高分子電解質膜を被覆する水層を備えることを特徴とする高圧水素製造装置。
IPC (5):
C25B 1/12 ,  C01B 3/02 ,  C25B 15/00 ,  C25B 15/08 ,  C25B 9/00
FI (5):
C25B1/12 ,  C01B3/02 H ,  C25B15/00 302Z ,  C25B15/08 302 ,  C25B9/00 B
F-Term (14):
4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC04 ,  4K021BC07 ,  4K021CA01 ,  4K021CA05 ,  4K021CA09 ,  4K021CA10 ,  4K021CA13 ,  4K021DA02 ,  4K021DB05 ,  4K021DB31 ,  4K021DB43 ,  4K021DC03
Patent cited by the Patent:
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