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J-GLOBAL ID：200903097527199840

炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ

Inventor： 澤村 充 ,  藤本 辰雄 ,  大谷 昇 ,  中林 正史
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004179382
Publication number (International publication number)：2006001784
Application date： Jun. 17, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 熱処理に対しても電気伝導度の変化し難い半絶縁性炭化珪素単結晶および半絶縁性炭化珪素単結晶ウェハの提供を主たる目的とする。【解決手段】 室温で1×105Ωcm以上の電気抵抗率と、原子空孔が複数集合した空孔クラスターを有する半絶縁性炭化珪素単結晶およびこれから得られるウェハである。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

室温で1×105Ωcm以上の電気抵抗率と、原子空孔が複数集合した空孔クラスターを有することを特徴とする半絶縁性炭化珪素単結晶。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-260176   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-027764   Applicant：新日本製鐵株式会社