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J-GLOBAL ID：200903066614114165

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法

Inventor： 勝野 正和 ,  大谷 昇 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002027764
Publication number (International publication number)：2003226600
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 再現性良く良質な保護膜を形成し、ボイド発生による結晶品質劣化を抑制するSiC単結晶育成用種結晶、および、全面に渡り構造欠陥の存在しない良好な外観を有するSiC単結晶インゴット、ならびにこれらを再現性良く製造し得る製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶の成長面裏面に所定範囲内の厚さの有機薄膜を形成することで成長時の裏面からの原子離脱を抑制し、構造欠陥の極めて少ない高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。

Claim (excerpt)：

種結晶の単結晶成長面の裏面側が有機薄膜で被覆された炭化珪素単結晶育成用種結晶。

F-Term (12)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-318010   Applicant：株式会社デンソー, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 単結晶の製造方法及び種結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-103581   Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-105133   Applicant：新日本製鐵株式会社

Cited by examiner (3)

• 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-318010   Applicant：株式会社デンソー, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 単結晶の製造方法及び種結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-103581   Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-105133   Applicant：新日本製鐵株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Formation of thermal decomposition cavities in physical vapor transport of silicon carbide

Cited by examiner (1)

• Formation of thermal decomposition cavities in physical vapor transport of silicon carbide