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J-GLOBAL ID：200903094041994401

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002260176
Publication number (International publication number)：2004099340
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】低欠陥大口径の単結晶炭化珪素ウェハを高歩留りで製造する方法を提供する。【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶として口径40mm以上を有し、{0001}面から所定のオフ角度のついた面方位の炭化珪素単結晶を用いることにより、高品質な炭化珪素単結晶ウェハを高歩留りで製造できる炭化珪素単結晶インゴットを得る。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

口径が40mm以上で、{0001}面方位から2°以上12°以下傾いた面を単結晶育成面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。

IPC (1)：

C30B29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED05 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-016597
  
• 炭化ケイ素の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050721   Applicant：三洋電機株式会社
• 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-105133   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-230279   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 特開平4-016597