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J-GLOBAL ID：200903097538558817

半導体装置特性シミュレーション方法及び半導体装置特性シミュレータ

Inventor：
臼井 弘樹

About 臼井 弘樹


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002368046
Publication number (International publication number)：2004200461
Application date： Dec. 19, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】トランジスタの特性の劣化及び回復を正確にシミュレーションし、半導体装置を信頼性良く設計することを可能とするシミュレータ及びその方法を提供する。【解決手段】負のゲート電圧Vgを印加すると、トランジスタの特性は劣化し、総劣化量△Pが増大する。負のゲート電圧Vgを下げると、トランジスタの特性は回復し、総劣化量△Pが減少する。劣化期間と回復期間において、ゲート電圧の印加時間tの対数log(t)の線形式を用い、劣化量△PDと回復量△PDを計算する。即ち、ΔPD(t)=CD+BD・log(t)、ΔPR(t)=CR+BR・log(t)。ここで、CD、BD、CR、BRは定数である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数のトランジスタで構成される回路の特性をシミュレーションする半導体装置特性シミュレーション方法において、 複数の使用条件に基づいて、劣化前の前記回路のシミュレーションを行なう第1のシミュレーション工程と、 前記複数の使用条件に基づいて、劣化後の前記回路のシミュレーションを行なう第2のシミュレーション工程と、 前記第1のシミュレーション工程の結果と前記第2のシミュレーション工程の結果とを比較し、劣化による前記回路の特性を評価する評価工程と を備えることを特徴とする 半導体装置特性シミュレーション方法。
IPC (7)：
H01L21/82 ,  G06F17/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/00 ,  H01L29/78
FI (5)：
H01L21/82 T ,  G06F17/50 666Y ,  H01L29/00 ,  H01L29/78 301Z ,  H01L27/08 102Z
F-Term (15)：
5B046AA08 ,  5B046CA04 ,  5B046JA04 ,  5F048AA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F064CC09 ,  5F064HH09 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12 ,  5F140AA00 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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