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J-GLOBAL ID:200903097542287178
凸凹パターンの形成方法および凸凹パターン形成用部材
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
堀口 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004094985
Publication number (International publication number):2005279807
Application date: Mar. 29, 2004
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
【課題】 大面積かつ段差のある基板上にもダストを発生させることなく凸凹パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 一主面上に粒子層を備えるシート状基材を、該粒子層が形成された主面側を接触させて基板上に積層する工程と、基板上からシート状基材を除去して、粒子層を基板上に残置する工程と、微粒子層をエッチングマスクとして基板表面をエッチングして、基板表面に微細な凸凹パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする凸凹パターン形成方法とこれに用いるパターン形成部材。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
粒子層を一主面上に備えるシート状基材を前記粒子層が形成された主面側を基板に接触させて前記基板上に積層する工程と、
前記基板上から前記シート状基材を除去して、前記粒子層を前記基板上に残置する工程と、
前記粒子層をエッチングマスクとして前記基板表面をエッチングして、前記基板表面に微細な凸凹パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする凸凹パターン形成方法。
IPC (3):
B82B3/00
, H05B33/02
, H05B33/14
FI (4):
B82B3/00
, H05B33/02
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
F-Term (6):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB18
, 3K007BB00
, 3K007CA06
, 3K007DB03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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米国特許第4407695号
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米国特許第5772905号
Cited by examiner (9)
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半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-067218
Applicant:松下電器産業株式会社
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突起状エミッタ及び電子放出素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-340428
Applicant:キヤノン株式会社
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量子箱の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-099212
Applicant:松下電器産業株式会社
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