絶縁ゲート電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山崎宏 , 田中光雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006309107
Publication number (International publication number)：2008124374
Application date： Nov. 15, 2006
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】ノーマリオフ動作が可能な絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】このヘテロ接合電界効果トランジスタ(MISHFET)は、AlGaNバリア層104の上にソースオーミック電極105とドレインオーミック電極106が形成されている。AlGaNバリア層104上にSiNxゲート絶縁膜108、p型多結晶SiC層109、オーミック電極であるPt/Auゲート電極110が順次形成されている。p型多結晶SiC層109は仕事関数が相対的に大きいので、ゼロバイアス状態でもMISHFETのチャネルが空乏化されて、ノーマリオフ動作が生じる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型チャネルが形成される半導体チャネル層と、上記半導体チャネル層上に形成されたソース電極と、上記半導体チャネル層上に形成されたドレイン電極と、上記半導体チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に形成された第2導電型の半導体膜と、上記第2導電型の半導体膜上に形成された金属製のオーミック電極からなるゲート電極とを備えることを特徴とする絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

IPC (9)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/80

FI (6)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/283 C , H01L21/28 301Z , H01L29/58 G , H01L29/80 W

F-Term (57)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA10 , 4M104BB14 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F102FA00 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F140AA01 , 5F140AA04 , 5F140AA06 , 5F140AA18 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE03 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BF43 , 5F140BF44 , 5F140BF46 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140CC02 , 5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-203967 Applicant：富士通株式会社
特開平4-352332
特開平4-352332

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