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J-GLOBAL ID：200903097666357131
キャパシタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316264
Publication number (International publication number)：1995169917
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】高誘電率の酸化タンタル膜を用い、大容量で高耐圧のキャパシタを形成する。【構成】シリコン基板1上に形成された第一の絶縁膜上に延在する第一の電極上に酸化タンタル層5を形成した後、第一の熱処理を酸素もしくは二窒化酸素雰囲気、あるいはアルゴンや窒素等で希釈した酸素もしくは二窒化酸素濃度0.1%以上の雰囲気中600°C以上750°C以下の温度で行い、続いて第一の熱処理より高温かつアルゴンもしくは窒素等不活性雰囲気中もしくはアルゴン,窒素等で0.1% 以下に希釈された酸素あるいは二窒化酸素雰囲気で第二の熱処理を行って酸化タンタル層5を結晶化した後、酸化タンタル層5上に第二の電極6を形成しキャパシタとする。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成された第一の絶縁膜上に延在する第一の電極上に酸化タンタル層を形成した後、第一の熱処理を酸素もしくは二窒化酸素雰囲気、あるいはアルゴンや窒素等で希釈された、酸素もしくは二窒化酸素濃度0.1% 以上の雰囲気中600°C以上750°C以下の温度で行い、前記第一の熱処理より高温かつアルゴンもしくは窒素等不活性雰囲気中もしくはアルゴン,窒素等で0.1 %以下に希釈された酸素雰囲気で第二の熱処理を行って前記酸化タンタル層を結晶化した後、前記酸化タンタル層上に第二の電極を形成することを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/26
, H01L 21/316
, H01L 21/324
H01L 27/04 C
, H01L 21/26 L
Cited by examiner (6)
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