半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000051318
Publication number (International publication number)：2001244325
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】トレンチの底部のコーナー部を十分に丸め、しかも、過剰なシリコン削れの発生を防止し、トレンチを微細化可能にする。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板1上にトレンチ5を形成する第1の工程を備え、そして、この第1の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ5の側壁の内面に形成された反応生成物20を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ5の底部のコーナー部5aを丸める第2の工程を備えたところに特徴を有する。この方法の場合、第2の工程において、トレンチ5の側壁をエッチングすることなく、トレンチ5の底部のコーナー部5aだけを丸めることができる。

Claim (excerpt)：

異方性エッチングを行うことにより半導体基板上にトレンチを形成する第1の工程と、この第1の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチの側壁の内面に形成された反応生成物を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチの底部のコーナー部を丸める第2の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 655 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 A , H01L 21/76 L , H01L 21/302 J , H01L 29/78 658 G

F-Term (20)：

5F004AA16 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EA13 , 5F004EA29 , 5F004EB08 , 5F004FA01 , 5F032AA37 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA26 , 5F032DA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-093546 Applicant：日産自動車株式会社
高耐圧半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332467 Applicant：三菱電機株式会社
パワーMOSFET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-230296 Applicant：松下電工株式会社

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