Pat
J-GLOBAL ID：200903046459897424

半導体基板の製造方法

Inventor：
泉 敏文

About 泉 敏文

, 
山内 庄一

About 山内 庄一


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277613
Publication number (International publication number)：1999121310
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 製造効率の向上及びこれに伴う製造コストの低減の実現。【解決手段】 (a)単結晶シリコンウェハ11の表裏両面を平坦化(鏡面化)する準備工程、(b)単結晶シリコンウェハ11の表面全体に汚染保護膜12を形成する保護膜形成工程、(c)単結晶シリコンウェハ11の一方の面と平行な分布状態の第1イオン注入層13を形成する第1のイオン注入工程、(d)単結晶シリコンウェハ11の他方の面と平行な分布状態の第2イオン注入層14を形成する第2のイオン注入工程、(e)汚染保護膜12を除去する保護膜除去工程、(f)2枚のベース基板15及び16の表面全体に絶縁膜15a及び16aを形成する絶縁膜形成工程、(g)単結晶シリコンウェハ11の表裏両面にベース基板15及び16をそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程を行った後に、熱処理により単結晶シリコンウェハ11を各イオン注入層13及び14部分で剥離する剥離工程を行う。
Claim (excerpt)：
ベース基板(15、16)上に当該ベース基板(15、16)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(11a、11b)を設けて成る半導体基板(17、18)の製造方法において、半導体基板材料(11)における一方の面の所定深さ位置にイオン注入して第1イオン注入層(13)を形成する第1のイオン注入工程、前記半導体基板材料(11)の他方の面の所定深さ位置にイオン注入して第2イオン注入層(14、14′)を形成する第2のイオン注入工程、2枚用意したベース基板(15、16)を前記半導体基板材料(11)の表裏両面にそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程、前記半導体基板材料(11)及び2枚のベース基板(15、16)の一体物に対し熱処理を施すことにより、前記半導体基板材料(11)を前記第1イオン注入層(14)及び第2イオン注入層(14、14′)により形成される欠陥層部分で剥離して前記半導体層(11a、11b)を形成する剥離工程、を実行することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12
FI (3)：
H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体基板の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041709   Applicant：キヤノン株式会社
  • 半導体部材の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311975   Applicant：キヤノン株式会社
  • 半導体基板の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045441   Applicant：キヤノン株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM