3族窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995100155
Publication number (International publication number)：1996274372
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】3族窒化物半導体発光素子の発光の安定性を向上【構成】3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn伝導型のn層とp伝導型のp層とを少なくとも有した発光素子において、n層3の電極8として、n層8に接合するアルミニウム(Al)層81、その上に形成されたチタン(Ti)層82、その上に形成された金(Au)層83とを形成した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn伝導型のn層とp伝導型のp層とを少なくとも有した発光素子において、前記n層の電極として、前記n層に接合するアルミニウム(Al)層、その上に形成されたチタン(Ti)層、その上に形成された金(Au)層とを形成したことを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭55-009442
特開平4-321279
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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