真空成膜装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023625
Publication number (International publication number)：2000219961
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマ放電の連続安定維持時間を長くすること、成膜速度の向上を可能とした真空成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマビーム22を生成するプラズマガン11と、真空チャンバー12の短管部12Aを包囲し、プラズマビーム22の横断面を収縮させる収束コイル18とを備え、プラズマビーム22を真空チャンバー12内の蒸着原料20の表面に導き、真空チャンバー12内の上部に配置した基板13上に薄膜を形成する真空成膜装置において、プラズマビーム22の周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管1と、絶縁管1の外周を取巻き、前記出口部よりも高い電位状態とした第1電子帰還電極2Aと、蒸着原料20の真上よりもプラズマガン11から遠のく側の空間部で、蒸着原料20と基板13との間の蒸着原料20よりも基板13に近い位置に第1電子帰還電極2Aと同電位の第2電子帰還電極2Bとを設けてある。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、このプラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を包囲し、前記プラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルとを備え、前記プラズマビームを前記真空チャンバー内の下部に配置した蒸着原料の表面に導き、前記真空チャンバー内の上部の基板上に薄膜を形成する真空成膜装置において、前記短管部内に、このプラズマビームの周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管と、前記短管部内にて前記絶縁管の外周側を取巻くとともに、前記出口部よりも高い電位状態とした第1電子帰還電極と、前記蒸着原料の真上よりも前記プラズマガンから遠のく側の空間部で、前記蒸着原料と前記基板との間のこの蒸着原料よりも基板に近い位置に前記第1電子帰還電極と同電位の第2電子帰還電極とを設けたことを特徴とする真空成膜装置。

F-Term (2)：

4K029DD05 , 4K029EA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-103362
プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-126338 Applicant：日本電子株式会社
圧力勾配型電子ビーム励起プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-082751 Applicant：川崎重工業株式会社

Show all

Return to Previous Page