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J-GLOBAL ID:200903064320024807

真空成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998272077
Publication number (International publication number):2000096218
Application date: Sep. 25, 1998
Publication date: Apr. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 基板状に形成される薄膜の性状を予測監視することができる真空成膜装置を提供する。【解決手段】 プラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内の成膜材料20が蒸発し、蒸発した成膜材料20により基板13上に薄膜が形成される。真空チャンバ12内の励起された物体から発光される発光光が発光モニタ70により監視され、発光モニタ70からの信号により制御装置76によりプラズマガン11の放電電源14が制御される。
Claim (excerpt):
被成膜体が配置されるとともに接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型のプラズマ生成装置と、プラズマ生成装置により生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させて成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させて薄膜を形成する永久磁石および収束コイルを用いる制御手段とを備え、真空チャンバ内の励起された物体から生じる発光光の強度を監視する発光モニタを設けたことを特徴とする真空成膜装置。
IPC (2):
C23C 14/32 ,  C23C 14/54
FI (2):
C23C 14/32 Z ,  C23C 14/54 B
F-Term (4):
4K029CA03 ,  4K029DD05 ,  4K029EA00 ,  4K029EA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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