集積回路におけるホットキャリア効果のシミュレーション方法および装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999146165
Publication number (International publication number)：2000339356
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ICにおけるホットキャリア効果を回路レベルでシミュレートする方法を提供する。【解決手段】 ICセルデータ102から、各セルの遅延データを有するホットキャリアタイミングライブラリ106を生成し、このホットキャリアタイミングライブラリ106を用いて、スケールされた劣化後タイミングデータ112を生成する。そしてこの劣化後タイミングデータ112を用いて、論理シミュレータ114やタイミングアナライザ116によってICの動作をシミュレーションする。劣化後タイミングデータ112は、セル遅延データと各セルの時間毎のスイッチング頻度に基づいて、生成される。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの半導体デバイスを有する集積回路におけるホットキャリア効果をシミュレーションする方法であって、前記集積回路内の、少なくとも1つの半導体デバイスをそれぞれ有する少なくとも1つのセルを記述するICセルデータを受け、ホットキャリア効果に起因する前記各セルの経時特性劣化を表す遅延データを生成し、前記遅延データおよび各セルのスイッチング動作情報に基づいて、前記各セルの遅延時間を記述する劣化後遅延データを生成し、前記劣化後遅延データと、前記各セルの遅延時間を示すスケーリング前タイミングデータとに基づいて、劣化後タイミングデータをスケーリングで生成することを特徴とするシミュレーション方法。

IPC (7)：

G06F 17/50 , G06F 17/00 , H01L 21/66 , H01L 21/82 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/00

FI (8)：

G06F 15/60 668 Z , H01L 21/66 Z , H01L 29/00 , G06F 15/20 D , G06F 15/60 666 S , G06F 15/60 668 K , H01L 21/82 T , H01L 27/08 102 Z

F-Term (31)：

4M106BA20 , 4M106CA70 , 5B046AA08 , 5B046BA03 , 5B046JA05 , 5B049BB07 , 5B049CC31 , 5B049DD01 , 5B049DD05 , 5B049EE01 , 5B049EE03 , 5B049EE31 , 5B049EE41 , 5B049FF03 , 5B049FF04 , 5B049FF09 , 5B049GG03 , 5B049GG04 , 5B049GG07 , 5F048AA00 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F064BB02 , 5F064CC09 , 5F064CC30 , 5F064HH03 , 5F064HH09 , 5F064HH11 , 5F064HH12 , 5F064HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体集積回路の信頼性シミュレーション方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-298228 Applicant：松下電子工業株式会社
タイミング検証方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106706 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の設計支援装置および設計支援方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-147624 Applicant：三菱電機株式会社

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