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J-GLOBAL ID：200903098092768436

半導体物理量センサ及びその製造方法

Inventor： 坂田 芳孝
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997369257
Publication number (International publication number)：1999190746
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板に検知部分を形成された加速度センサ等の半導体物理量センサにおいて、加速度センサの一層の小型化、薄型化を図り、それによって低コスト化する。【解決手段】 下面に浅い凹部を形成されたシリコン基板25をガラス基板21の上面に陽極接合する。この後、KOH水溶液につけ、シリコン基板25全体を上面側から平坦にエッチングする。ついで、シリコン基板25を薄くすることによって凹部29,30に対応する箇所に形成された薄板部の一部をエッチングで除去して薄型のマス部27とビーム26を形成する。

Claim (excerpt)：

物理量を感知して変位する検知部分を半導体基板に設けた半導体物理量センサにおいて、前記検知部分を有する半導体基板は、前記検知部分を支持する薄板部もしくは前記検知部分を構成する薄板部の厚みと同程度の厚みであることを特徴とする半導体物理量センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 加速度センサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-174832   Applicant：株式会社村田製作所
• 加速度センサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-163892   Applicant：日本電気株式会社