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J-GLOBAL ID：200903098112424097

二次元位相素子及びその作製方法

Inventor：
田中 一郎

About 田中 一郎


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 日比谷 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999250853
Publication number (International publication number)：2001074921
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 アライメントエラーによる無効となる領域を小さくする。【解決手段】 アライメントエラーにより、一辺がaのレジストパターン23がx方向に長さdだけずれた場合のセグメントの平面図を示しており、レジストパターン23は一辺の長さが21/2aの正方形であり、クロム膜パターン21aの格子に対しては45 ゚傾いている。従って、ハッチングで示した領域61が無効な領域となり、局所的部分に限定され、その面積S3はS3=2d2で示すことができ、アライメントエラーによる無効となる領域を小さくすることができる。
Claim (excerpt)：
セグメント間のアライメントエラーを局所的部分に限定したことを特徴とする二次元位相型素子。
IPC (3)：
G02B 5/02 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
G02B 5/02 D ,  H01L 21/30 515 D ,  H01L 21/302 J
F-Term (12)：
2H042BA10 ,  2H042BA15 ,  2H042BA16 ,  5F004EA33 ,  5F004EB07 ,  5F046CA02 ,  5F046CA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB01 ,  5F046CB12 ,  5F046CB23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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