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J-GLOBAL ID：200903098125700697

膜、及び、その形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor： 福島 均
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003320229
Publication number (International publication number)：2005086187
Application date： Sep. 11, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】 本発明の目的は、SAMが有する半導体性という機能特性を活かした電子デバイスその他の用途に利用できる膜、及び環境に対して温和な条件で、しかも簡易な設備にて電子デバイスその他の用途に利用できる膜の製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明は、複数の金属粒子と、該複数の金属粒子それぞれを被覆してなる自己組織化単分子膜と、を含むことを特徴とする膜を提供する。また、本発明は、複数の金属粒子の表面に、自己組織化単分子膜を形成する工程と、該自己組織化単分子膜により被覆された複数の金属粒子の分散液を、インクジェット法又はディスペンサーによる方法によって、被塗布面に塗布する工程と、を少なくとも備えることを特徴とする膜の形成方法を提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

複数の金属粒子と、該複数の金属粒子それぞれを被覆してなる自己組織化単分子膜と、を含むことを特徴とする膜。

IPC (6)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (6)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01L29/66 S ,  H01L21/30 502D ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

F-Term (12)：

5F046AA28 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-352766   Applicant：埼玉大学長
• ナノ粒子ベースの電気的、化学的及び機械的構造及びこれを作る方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-574978   Applicant：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
• 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-344925   Applicant：セイコーエプソン株式会社