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J-GLOBAL ID：200903060049990799

単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置

Inventor：
古沢 昌宏

About 古沢 昌宏


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 渡邊 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001344925
Publication number (International publication number)：2003149831
Application date： Nov. 09, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ガラスマスクを使用せず、しかもパターン形成精度や位置の再現性の優れた撥液性単分子層のパターン形成方法、及びその単分子層パターンを用いて形成する半導体、金属などのパターン、更にそれを用いて製造される電気光学装置、及びこの電気光学装置を備える電子機器を提供すること。【解決手段】 基板上に、加水分解性基と、撥液性末端を有する炭素含有基とを有するシラン化合物がこの基板に結合した単分子層を形成し、アルカリ性の液体をインクジェット法で基板上にパターン塗布し、この塗布した部分において前記単分子層を上記アルカリ性液体の加水分解作用により除去し、撥液性の単分子層と、パターン化された親液性の基板表面を形成する。更に、このパターン化された基板を用いて電気光学装置、及びこの電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
Claim (excerpt)：
基板上に単分子層を形成し、アルカリ性の液体をインクジェット法でこの基板上にパターン塗布し、前記アルカリ性液体の分解作用により前記単分子層を除去し、前記基板上に撥液性の単分子層とパターン化された親液性の基板表面を形成することを特徴とする撥液性単分子層のパターン形成方法。
IPC (6)：
G03F 7/36 ,  B41J 2/01 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5)：
G03F 7/36 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 627 C ,  B41J 3/04 101 Z
F-Term (60)：
2C056FB01 ,  2C056FB02 ,  2C056FB04 ,  2C056FB05 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA60 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD07 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104EE18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG41 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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