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J-GLOBAL ID：200903098169604032

半導体装置の製造方法

Inventor： 上野 和良
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999053321
Publication number (International publication number)：2000252357
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の銅配線を低誘電率の有機絶縁膜上に形成するに際して、Cu膜の剥離を生ぜしめることなくCu粒径を十分に拡大させて、銅配線の信頼性を高める。【解決手段】 表面に配線用の溝を形成したベンゾシクロブテン樹脂からなる有機絶縁膜4上に、炭化窒化チタンからなるバリア層8を堆積させ、その上にCVDによりCu膜10を堆積させ、Cu膜10の表面にArプラズマ照射しながら300°C程度で熱処理するプラズマ照射・熱処理を行い、その後にCMPにより溝以外の領域におけるCu膜10及びバリア層8の除去を行うことで、溝内にバリア層8及びCu膜10からなる配線12を形成する。

Claim (excerpt)：

銅配線を有する半導体装置を製造する方法であって、表面に配線用の溝を形成した絶縁膜上に銅膜を堆積させ、該銅膜の表面にプラズマ照射しながら熱処理するプラズマ照射・熱処理を行い、前記溝内に前記銅膜を含んでなる配線を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/88 M

F-Term (31)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033LL08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-222610   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-222610   Applicant：ソニー株式会社