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J-GLOBAL ID：200903098271441873
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998042114
Publication number (International publication number)：1999243058
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 InGaP層とその上層に形成した半導体層との界面におけるコンタクト抵抗を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にエピタキシャル成長され、自然超格子が破壊されてIII族原子層面内におけるInとGaの配列が不規則となっているInGaP層20と、InGaP層20上にエピタキシャル成長されたInGaP層20と同一導電型の半導体層22とにより半導体装置を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にエピタキシャル成長され、自然超格子が破壊されてIII族原子層面内におけるInとGaの配列が不規則となっている領域を有するInGaP層と、前記InGaP層上にエピタキシャル成長された前記InGaP層と同一導電型の半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/205
, H01L 29/201
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/205
, H01L 29/201
, H01L 29/72
, H01L 29/80 H
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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