化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996112751
Publication number (International publication number)：1997298160
Application date： May. 07, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶性の良いInGaP/GaAsHBTのエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 HBTのエミッタ層15にn-InGaPを用いて成長する場合に、n-InGaPエミッタ層15の成長温度をp+ -GaAsベース層14の成長温度に合わせて、かつ連続して成長させる。そのためにエミッタ層15の成長は、成長温度をベース層14の500°C付近にして、低温での分解効率が良いターシャリーブチルホスフィン(TBP)を用いることにより、n-InGaPエミッタ層15にInのクラスターが無く、p+ -GaAsベース層14との界面付近に欠陥がない、特性の優れたHBTを提供することができる。

Claim (excerpt)：

複数の化合物半導体層を成長させて積層すると共にそのいずれか一層にIn及びPを含む層を成長させる化合物半導体結晶成長方法において、上記In及びPを含む層を、そのPの原料に450°C〜550°Cで50%以上分解する原料を用いて450°C〜550°Cで成長させることを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

薄膜成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174001 Applicant：富士通株式会社
薄膜の気相成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244757 Applicant：株式会社東芝
化合物半導体の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-202111 Applicant：日本電信電話株式会社

Show all

Cited by examiner (8)

薄膜成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174001 Applicant：富士通株式会社
薄膜の気相成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244757 Applicant：株式会社東芝
化合物半導体の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-202111 Applicant：日本電信電話株式会社

Show all

Return to Previous Page