化合物半導体結晶装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104916
Publication number (International publication number)：1996306703
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体結晶装置とその製造方法に関し、GaAs等の成長基板にオフ角を付けることによって、その上に成長する化合物半導体層の転位を低減する場合でも、化合物半導体結晶装置の特性に悪影響を与えるようなマルチステップが生じないようにする手段を提供する。【構成】 GaAs基板1の上に、InGaP層4とGaAs層5、またはInGaP層とInGaAs層をMOVPEによって成長する際、このGaAs層またはInGaAs層を成長する時のV/III比を1〜5、もしくは100〜200とし、あるいは基板上に5000Å以内に1000Å以下のInGaPからなる薄層を成長し、あるいはGaAs層またはInGaAs層を6Å/s以上で成長することによって、その界面に5原子層以上のマルチステップを有する場合でも、その間隔を300nm以上にして、特性劣化がない電界効果またはバイポーラ化合物半導体結晶装置を実現する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板の上に、InGaAsからなる電子走行層と、InGaPからなる電子供給層と、GaAsからなるキャップ層を備え、該電子供給層と電子走行層のヘテロ界面に5原子層以上のマルチステップを有し、該マルチステップのステップ間隔が300nm以上であることを特徴とする電界効果化合物半導体結晶装置。

IPC (6)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/72 , H01L 29/205 , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038246 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-128423
ヘテロ接合半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-030473 Applicant：松下電器産業株式会社

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