半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004290046
Publication number (International publication number)：2005072610
Application date： Oct. 01, 2004
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】ダイシングによる損傷が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】 SOI基板10上に、フィールドシールドゲート44を含むフィールドシールド分離領域が素子分離のために形成される。SOI基板10を複数のチップに分断する際の切断線であるダイシングライン62近傍のフィールドシールドゲート44は、エッチングによって切断前に予め除去される。【選択図】図28

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された埋込絶縁層と、前記埋込絶縁層上に形成された半導体活性層とを含むSOI基板と、前記半導体活性層上に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜上であって切断されるべきダイシングライン以外の所定領域に形成されたフィールドシールド絶縁膜とを含むフィールドシールド分離領域とを備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L21/8242 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L27/108

FI (6)：

H01L27/10 671C , H01L21/76 D , H01L21/76 L , H01L27/10 621Z , H01L27/10 625B , H01L27/10 681D

F-Term (19)：

5F032AA01 , 5F032AA35 , 5F032AA47 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F083AD02 , 5F083AD16 , 5F083AD17 , 5F083AD21 , 5F083CR17 , 5F083HA02 , 5F083JA36 , 5F083JA56 , 5F083KA02 , 5F083KA05 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083NA05 , 5F083ZA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-239768号公報
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-223580 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (8)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-328123 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-060526 Applicant：セイコー電子工業株式会社
特開平1-181459

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