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J-GLOBAL ID：200903098323340248

超電導体法およびリアクタ

Inventor： ルピッチ、マーティン ダブリュ. ,  ベレベリ、ダレン ,  リ、シャオピン ,  ツァン、ウェイ ,  ショープ、ウルス-デトレフ ,  リンチ、ジョセフ
Applicant, Patent owner： アメリカン スーパーコンダクター コーポレイション
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006515358
Publication number (International publication number)：2007525790
Application date： Jun. 02, 2004
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

酸化物膜を成長させるための方法であって、中間酸化物材料の膜(120)の表面上に反応ガス混合物(60,70)を入射することと、膜(120)の表面に隣接する領域(80)から生成ガスの少なくとも一部を除去することとを含む。反応ガス混合物(60,70)は、膜(120)の表面に対して少なくとも約5度の角度で膜(120)の表面に入射し、膜は、最大約700トル(91kPa)の全圧力を有するリアクタ(100)の一部(150,160,170)内に位置している。酸化物は、バッファ材料および超電導体材料からなるグループから選択される。

Claim (excerpt)：

超電導体を製造するための方法であって、 中間超電導体材料の膜の表面上に、反応ガス混合物を入射するステップを含み、前記反応ガス混合物が、前記膜の表面に対して少なくとも約5度の角度で前記膜の表面上に入射し、前記膜が、最高約700トル(91kPa)の全圧力を有するリアクタの一部内に位置する方法。

IPC (2)：

H01B 13/00 ,  H01B 12/06

FI (2)：

H01B13/00 565D ,  H01B12/06

F-Term (9)：

5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DA12 ,  5G321DB41 ,  5G321DB47

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多層体を作製するための方法及び組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-512647   Applicant：アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション
• CVD反応装置および酸化物超電導導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-122891   Applicant：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
• 被覆導体厚膜前駆体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-512648   Applicant：アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション