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J-GLOBAL ID：200903098392124107

シャロートレンチ分離構造及びその形成方法

Inventor：
佐喜 和朗

About 佐喜 和朗


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998182424
Publication number (International publication number)：1999145275
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明は、シャロートレンチのコーナー部分の浸蝕を防止し、表面に段が殆ど生じないシャロートレンチ分離構造を形成する方法を得る。【解決手段】半導体基板200上の層202、204を貫通して半導体基板200内にトレンチ206を形成する。窒化物パッド層204を等方性エッチングしてトレンチ206の縁部から窒化物パッド層204の縁部を距離Lだけ後退させ、トレンチ206によって露出された半導体基板の表面に酸化層208を形成する。絶縁層212を堆積してトレンチ206を充填し、窒化物パッド層204をストッパとして絶縁層212を平坦化し、窒化物パッド層204及び酸化物パッド層202をウェットエッチングにより除去する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に酸化物パッド層を形成し、前記酸化物パッド層上に窒化物パッド層を形成し、前記窒化物パッド層及び前記酸化物パッド層を貫通させて前記半導体基板内に開口を形成し、前記窒化物パッド層を等方性エッチングし、前記酸化物パッド層を貫通している前記開口の縁部から前記窒化物パッド層の縁部を後退させ、前記開口によって露出された前記半導体基板の表面を酸化し、前記窒化物パッド層の縁部を後退させることによって露出された前記酸化物パッド層上及び前記開口を充填するために絶縁層を堆積し、前記後退された窒化物パッド層をストッパとして前記堆積された絶縁層を平坦化し、前記後退された窒化物パッド層及び前記酸化物パッド層を除去することを特徴とするシャロートレンチ分離構造の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3)：
H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/10 681 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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