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J-GLOBAL ID：200903098398684058

半導体分布ブラッグ反射鏡及びそれを用いた面発光型半導体レーザ

Inventor： 篠田 和典 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  近藤 正彦 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114569
Publication number (International publication number)：1997298337
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】少ない層数で高い反射率を有する半導体分布ブラッグ反射鏡を提供することであり、それを反射鏡として利用した面発光型半導体レーザを提供する事である。さらなる課題としては、その面発光型半導体レーザを光源として利用した光インターコネクション等の応用システムを提供すること。【解決手段】GaAs基板1上に有機金属気相成長法により膜厚104nm、引っ張り歪0.3%のIn0.42Ga0.58P層12と膜厚90nm、圧縮歪0.35%のIn0.05Ga0.95As層13を交互に積層した周期構造(13周期)を形成した。【効果】本発明によれば、高反射率で、尚且つ薄い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供できるので、面発光型半導体レーザや面発光型発光ダイオード、あるいは受光素子等の高性能化に効果がある。また、本発明の面発光型半導体レーザは、光インターコネクションなどの応用システムで利用できる。

Claim (excerpt)：

屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡において、高屈折率部分を形成する半導体の少なくとも一部が圧縮歪みを有し、且つ低屈折率部分を形成する半導体の少なくとも一部が引っ張り歪みを有することを特徴とする半導体分布ブラッグ反射鏡。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 波長制御型面発光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-135985   Applicant：古河電気工業株式会社
• 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096842   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-003384
  
• 特開昭59-010901