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J-GLOBAL ID：200903098428625566

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 久保 裕子 ,  米田 健司
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997310463
Publication number (International publication number)：1998209449
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜化された絶縁膜を有するMIS構造の半導体装置において、FNトンネル電流の印加に伴うトラップの発生を確実に抑制できるようにする。【解決手段】 上下方向に順次形成されてなる半導体層、絶縁膜及び導電膜を有する半導体装置において、絶縁膜は、窒素原子を含む二酸化シリコン膜よりなり、二酸化シリコン膜における半導体層側の界面の近傍に窒素原子の濃度分布のピークを有している。窒素原子の濃度分布のピークにおける窒素原子の濃度は1.5原子%以上で且つ5原子%以下である。

Claim (excerpt)：

上下方向に順次形成されてなる半導体層、絶縁膜及び導電膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜は、窒素原子を含む二酸化シリコン膜よりなり、前記二酸化シリコン膜における前記半導体層側の界面の近傍に窒素原子の濃度分布のピークを有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-256274
  
• 特開平2-018934
  
• 半導体装置の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327640   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-178350   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• ゲート絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-128441   Applicant：ソニー株式会社