マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253807
Publication number (International publication number)：1996124899
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】被処理体へのダメージを発生することなく、前記被処理体表面のレジストパターンのような有機化合物膜を高速でアッシング除去することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供しようとするものである。【構成】上部にマイクロ波透過窓を有するプラズマ処理容器と、前記容器内に配置され、表面に有機化合物が形成された被処理体が載置される上下可変型のステージと、前記透過窓と前記ステージの間に配設された金属メッシュからなる遮蔽板と、前記処理容器に設けられた反応ガス導入口と、前記処理容器の上部にマイクロ波方向が前記透過窓と平行になるように連結されたマイクロ波導波管と、前記導波管に形成された導波管開口部とを具備したマイクロ波プラズマ処理装置において、前記ステージと前記遮蔽板の間隔は、20〜50mmであることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

上部にマイクロ波透過窓を有するプラズマ処理容器と、前記容器内に配置され、表面に有機化合物が形成された被処理体が載置される上下可変型のステージと、前記透過窓と前記ステージの間に配設され、前記処理容器内のプラズマ発生領域を前記透過窓側に規定する金属メッシュからなる遮蔽板と、前記プラズマ発生領域が位置する前記処理容器に設けられた反応ガス導入口と、前記処理容器の上部に進行するマイクロ波の方向が前記透過窓と平行になるように連結されたマイクロ波導波管と、前記透過窓に対向する前記導波管に形成され、進行する前記マイクロ波を前記処理容器内に導くための導波管開口部とを具備したマイクロ波プラズマ処理装置において、前記ステージと前記遮蔽板の間隔は、20〜50mmであることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-102184 Applicant：住友金属工業株式会社
特開平2-090521
特開平1-169929

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