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J-GLOBAL ID：200903098612264541
透明導電膜付き基板および成膜装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998137968
Publication number (International publication number)：1999335815
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 カラーフィルタ上に成膜される透明電極用の錫含有酸化インジウム多結晶透明導電膜は、低比抵抗で、かつ膜の圧縮応力が小さいものは得られていなかった。【解決手段】 スパッタリングによる成膜室とアーク放電プラズマ蒸着による成膜室を備えたインライン型成膜装置を用いて、ガラス板上に設けられたカラーフィルタの表面に、成膜温度を200°Cとして、酸化錫と酸化インジウムの焼結体のターゲットを用いた直流スパッタリングにより、厚みが10nmの第1層の酸化錫10重量%酸化インジウム90重量%のITOを成膜し、その後第1層のITO上にアーク放電プラズマ蒸着法により厚みが290nmの酸化錫5重量%酸化インジウム95重量%の第2層のITOを成膜し、2層構成の透明導電膜を得た。
Claim (excerpt)：
透明基板上に錫含有酸化インジウム多結晶膜からなる透明導電膜が成膜された透明導電膜付き基板であって、前記透明導電膜は、互いに異なる成膜法で成膜された基板側の第1層の錫含有酸化インジウムと、前記第1層の上に積層された第2層の錫含有酸化インジウムとで構成され、第2層は減圧した雰囲気が調整できる成膜室内で、錫を含有する酸化インジウムの蒸着材料にアーク放電プラズマを照射して蒸発させることにより成膜した層であることを特徴とする透明導電膜付き基板。
IPC (6)：
C23C 14/08
, C23C 16/50
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 21/285
C23C 14/08 D
, C23C 16/50
, G02F 1/1343
, H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
, H01L 21/285 S
Cited by examiner (6)
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