半導体集積回路装置および製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993338592
Publication number (International publication number)：1995202019
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】IGビットクラスの高い集積度のDRAM実現に必要な平坦性、寄生抵抗の低減、容量の確保および量産性を有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】コンタクトホール内に、コンタクト金属(Ti)と一体となった容量電極金属(TiN)と、容量絶縁膜が積層された構造(TiO2 )が埋め込まれた構造の容量を有している。また、その電極金属が、イオン化蒸着等の指向性ビームを用いた蒸着で凹凸を表面に有している。

Claim (excerpt)：

半導体基板と電気的に接続した金属電極と、該金属電極表面に形成された容量絶縁膜を備えたことを特徴とするDRAM。

IPC (6)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭60-072261
特開平3-136361
特開平3-023663

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